중국 창신메모리(CXMT)가 자사 홈페이지를 통해 LPDDR5X 양산을 공식화했다. [CXMT 홈페이지 캡처]

[헤럴드경제=박지영 기자] 저가 범용 메모리에 집중하던 중국 반도체 산업이 급변하고 있다. HBM(고대역폭 메모리)부터 낸드플래시, D램 등에서 한 세대를 건너뛰면서까지 최신 제품을 출시하며 빠르게 추격에 나서면서 한국과 기술력 격차가 2~3년 수준으로 좁혀졌다는 평가가 나온다. 중국 메모리 기업이 추격이 메모리 슈퍼사이클의 변수로 작용할 수 있다는 분석도 나온다.

9일 업계에 따르면 최근 중국 창신메모리(CXMT)는 화웨이에 4세대 고대역폭메모리(HBM3) 샘플 공급을 시작한 것으로 알려졌다. 올해 말로 예상된 샘플 공급 개시 일정을 2개월 이상 앞당긴 것이다. 당초 올해 말로 예정됐던 공급 일정을 두 달 이상 앞당긴 것이다.

16나노미터 기반 D램 공정으로 제작된 CXMT의 HBM3는 내년 초 대량 양산, 2027년에는 5세대 제품인 HBM3E 양산을 계획하고 있다. 디지타임스 등 외신은 “글로벌 선두업체보다 3~4년 뒤처져 있지만, 중국 반도체 자립의 상징적인 진전”이라고 평가했다.

CXMT의 HBM3는 국내 선두업체 SK하이닉스가 적용 중인 ‘MR-MUF(매스리플로우-몰디드언더필)’ 패키징 기술을 적용한 것으로도 알려졌다. 고단 적층에 유리한 방식으로, 자사의 본딩 공정에 채용한 것으로 봐서 기술력이 상당히 올라왔다고 볼 수 있다.

CXMT는 2024년 DDR5 D램 양산 성공 후 포토마스크 및 방열 구조를 최적화하며 수율을 개선, 2025년 하반기에는 평균 80%를 돌파한 것으로 전해졌다. 해당 DDR5는 17나노(D1y) 공정을 건너뛰고 16나노(D1z) 공정을 직접 도입했다.

모바일용 차세대 저전력 D램 개발에도 속도를 내고 있다. CXMT는 자사 홈페이지를 통해 “국내 최초 LPDDR5X 양산”을 공식화하며, 12Gb·16Gb 용량 제품으로 최대 10.7Gbps의 동작 속도를 구현했다고 밝혔다. 이는 삼성전자와 SK하이닉스의 최신 LPDDR5X 성능과 유사한 수준이다.

지난달 중국 쿤밍에서 열린 반도체 학회에서는 초박형 저전력 D램 개발을 예고하기도 했다. 두께 0.58㎜로, 삼성전자가 지난해 8월 업계 최초로 구현한 0.65㎜보다 얇다.

글로벌 투자은행 모건스탠리는 최근 보고서에서 “AI 수요에 힘입은 메모리 슈퍼사이클이 본격화됐지만, 중국 CXMT의 성장세가 시장 경쟁의 변수로 부상하고 있다”고 평가했다.

시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 CXMT의 D램 시장 점유율은 지난해 3분기 3%에서 올해 2분기 5%로 상승했으며, 2027년에는 10%에 달할 전망이다.

한편, CXMT는 내년 1분기 상하이 증시 상장을 통해 약 400억위안(약 8조원)을 조달할 계획이다. 확보한 자금은 HBM 및 D램 생산능력 확대에 투입될 것으로 예상된다.

안휘성 허페이시(合肥)에 HBM3 생산설비를 구축 중이며, 2026년에는 월 5만장 규모의 웨이퍼 양산 능력을 확보한다는 계획이다.